之前有很多消息稱英特爾和AMD要在2020年推出DDR5平臺的消息，當(dāng)然我都是選擇不相信，以AMD為例，還沒推出的Zen3還是DDR4內(nèi)存平臺，Zen4至少也要等到明年。雖然面向低功耗領(lǐng)域的LPDDR5已經(jīng)上市許久，但它還是和真正的DDR5是兩回事。
不過在近日，三星那邊有了一些還算靠譜的好消息。
三星近日宣布，將在2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存，其將使用EUV光刻工藝，生產(chǎn)地點(diǎn)是韓國平澤的新工廠。同時(shí)三星宣布首批采用EUV光刻工藝的DDR4內(nèi)存的出貨量已經(jīng)達(dá)到100萬。
和邏輯芯片制造相同，內(nèi)存、存儲(chǔ)芯片的制造也需要光刻，以往的DUV（193nm）光刻下，要提高工藝的精度，就要引入多重曝光技術(shù)，例如臺積電的20nm SoC工藝就是雙重曝光，更先進(jìn)的工藝曝光次數(shù)就更多。但是EUV（13.5nm）光刻下，因?yàn)楣獾牟ㄩL更短，“下刀”更精準(zhǔn)了，可以減少曝光的次數(shù)，提高生產(chǎn)效率。同時(shí)EUV光刻提高了光刻的準(zhǔn)確度，從而提高性能，也就能制造更小的晶體管，提高工藝的先進(jìn)程度。
三星從第4代10nm級工藝（D1a）DRAM開始全面引入EUV光刻技術(shù)，明年會(huì)使用該工藝大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計(jì)EUV光刻可以使12英寸晶圓的生產(chǎn)效率翻倍。
三星在EUV光刻上要比其他廠商要積極很多，無論是邏輯芯片還是存儲(chǔ)芯片，當(dāng)然EUV工藝的不成熟也讓其面臨了很多困難，不過現(xiàn)在看來三星似乎已經(jīng)能夠解決問題并利用了EUV的長處，諸如高通驍龍765G等三星EUV工藝的芯片也已經(jīng)上市許久，5nm等真正體現(xiàn)EUV實(shí)力的節(jié)點(diǎn)或許很快就會(huì)到來。
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